Estudio de la estabilidad térmica del a-SiNx:H producido mediante la técnica de plasma ECR-CVD

Description: [SPA] La técnica de deposición química en fase de vapor activada por resonancia ciclotrónica de electrones (ECR-CVD) ha sido empleada para crecer láminas delgadas de nitruro de silicio hidrogenado (SiNx:H) de varias composiciones. Este dieléctrico de elevada permitividad tiene numerosas aplicaciones...
Language(s): Español
Subject(s): Dieléctricos de alta k , Nitruro de silicio , ECR-CVD , Procesos térmicos rápidos , Hidrógeno , Estructuras de enlaces , Propiedades ópticas , Propiedades eléctricas , High-k dielectrics , Silicon nitride , ECR-CVD , Rapid thermal annealing , Hydrogen , Bonding structure , Optical properties , Electrical properties , Pure sciences , Amorphous silicon , Silicon nitride
Publisher(s): Félix Lorenzo Martínez Viviente
Contributor(s): Mártil de la Plaza, Ignacio , Física Aplicada III
Source(s):
Publication Date(s): 2002-01-01
Type(s): Tesis doctoral (doctoralThesis)
Rights(s): info:eu-repo/semantics/openAccess
Relation(s):
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